日韩贸易争端导致7月DRAM现货价格反弹。 研究单位对合约市场仍持保守态度

6月的东芝停电事件，加上7月打响的日韩贸易战持续不断，推动跌至亏损流血的NAND Flash现货价格率先反弹，结束了逾500万美元的空头走势。两年。 这一波内存涨价潮是由NAND Flash带动的。 在上涨之后，7月日韩贸易战加入，DRAM现货价格也开始反弹。

整体来看，对市场价格较为敏感的经销商纷纷开始进货，带动部分受益于现货市场的内存模组厂商明显反弹； 但在合约市场usdt跌价说明什么，合约市场走势仍取决于整体供需情况，此外，由于日韩贸易战控制的半导体材料出口并未完全禁止，需求方并未涨幅较大，合约市场能否开启一波看涨走势，还有待观察。 对供应的真正影响越是紧张，整体市场状况改善的机会就越大。

现货市场DRAM/NAND Flash价格反弹

由于受到东芝停电的影响，这波NAND价格在6月份正式反弹。 此外，供应端得到控制，近期SK海力士宣布减产，推动现货市场先行反弹。 库存较多的内存模组厂商威刚(ADATA)率先发难，甚至宣布控制出货，采取优先出货给大客户的方式。 威刚董事长陈立白认为，这波内存反弹不会是暂时的。 短时间内下游库存经过这一波空仓已经降到很低的水平，现在回过头来准备安全库存。 事实上，8月份DRAM现货价格仍处于上涨趋势。

DRAM现货价格从底部反弹至最高峰值价格约50%。 陈立白表示，日韩贸易战短期内不易解决，可能会影响韩国内存工厂的满产和量产。 此外，上游原厂也纷纷宣布减产或延期。 资本支出和设备投资，这波反弹格局可以延续到11月。

NAND方面，自2017年11月起均价经历长期下跌，价格已接近厂商现金成本，长期维持在不合理的出血价。 相比较东芝停电的影响，预估将影响全球约10%的NAND产能，促使NAND Flash主要厂商第一时间同步涨价，现货价格持续反弹在八月。

研究单位对合约市场仍持保守态度

对于日韩贸易战的影响，研究机构TrendForce表示，虽然日韩原材料事件导致DRAM现货市场价格回升，但现货市场规模太小，无法有效解除原厂高库存。工厂，终端需求依旧。 疲软，7月合约价格继续下跌。

宇瞻总经理张家宇认为，合约市场占DRAM总出货量的90%。 即使日本将韩国踢出贸易白名单，也只会延误日本关键半导体材料的出货。 这并不意味着链条会断，但从合约价格下跌的情况来看，目前囤积库存是不明智的。

TrendForce表示，现阶段记忆体生产并没有因为贸易战而受阻，合约价格的达成取决于供需基本面。 由于目前产量并未受到影响，合约市场并未看到明显的价格支撑力道，随着贸易战的蔓延usdt跌价说明什么，未来整体内存合约市场的走势仍需观察。 如果生产真的动摇了，那么整个存储器行业的供需可能会有所改善。